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　　快科技7月11日消息，在IEEE 2026电子元件与技术大会（ECTC）上，英特尔全面展示了下一代封装解决方案EMIB-T。 EMIB原本采用嵌入式硅桥在局部实现高密度互连，EMIB-T则在硅桥中引入硅通孔实现垂

　　快科技7月10日消息，据美国银行全球研究部最新估算，英伟达下一代Rubin Ultra Kyber机架预估售价高达2100万美元（约合人民币1.42亿元）。 值得一提的是，仅HBM4e内存一项成本就飙升至153.4万美

　　快科技7月6日消息，据报道，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。 混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析

　　快科技7月2日消息，三星电子近日提交了一项新型半导体封装专利，专利号为KRA。该专利针对高堆叠HBM4E与HBM5制程中的可靠性瓶颈实施结构革新。 行业正从8层向16层乃至更高堆叠迈进，

　　快科技7月1日消息，据媒体报道，三星首席技术官在近日举行的DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。 业界通常将80%以上视为

　　快科技6月18日消息，SK海力士宣布，已向主要客户交付新一代AI专用DRAMHBM4E的12层堆叠样品。 SK海力士表示：“凭借长期积累的HBM先导研发能力与量产经验，我们成功向客户提

　　快科技5月29日消息，三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。 在完成初步样品交付与优化后，三星计划根据客户的具体进度安排，启动HBM4E的量产工作。 HBM（高带宽

　　快科技4月22日消息，三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1d DRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。 此次出问题的D1d DR

　　快科技4月17日消息，据媒体报道，三星正全力推进下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端AI内存市场进一步巩固自身优势。 据媒体报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英